熔斷器之間的保護(hù)選擇性
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一張圖看清楚保護(hù)選擇性;
保護(hù)選擇性的類型;
現(xiàn)實(shí)中常被忽視的保護(hù)選擇性;
斷路器區(qū)域選擇性聯(lián)鎖(ZSI)試驗(yàn)報(bào)告。
接上篇文章:一張圖看清楚保護(hù)選擇性,首先介紹熔斷器之間的保護(hù)選擇性,《低壓隔離電器和熔斷器選用和使用導(dǎo)則》T/CEEIA 301-2018、《全國(guó)民用建筑工程設(shè)計(jì)技術(shù)措施(電氣)》2009版等文獻(xiàn)有詳細(xì)要求。
本信息也介紹過(guò)熔斷器的類型,請(qǐng)參閱:重新認(rèn)識(shí)熔斷器!
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符合GB/T13539.2-2015的相同類型的熔斷器(如gG),當(dāng)額定電流≥16A,通過(guò)確定其額定電流比為1.6:1或更高,則熔斷器滿足全選擇性要求,用戶不需進(jìn)行另外驗(yàn)證。
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對(duì)于額定電流15A以上的gN或gD熔斷器,其額定電流比為2:1。
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當(dāng)熔斷時(shí)間≥0.1s時(shí),熔斷體之間的選擇性通過(guò)時(shí)間-電流特性進(jìn)行驗(yàn)證,如圖1所示。
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當(dāng)熔斷時(shí)間<0.1s時(shí),熔斷體之間的選擇性通過(guò)弧前I2t和熔斷I2t值進(jìn)行驗(yàn)證。
需要說(shuō)明,熔斷器制造廠將提供在額定電壓下假定非常低的阻抗短路故障時(shí)的熔斷I2t值。實(shí)際使用中,在熔斷期間,由于故障時(shí)的阻抗及出現(xiàn)在熔斷器兩端的實(shí)際電壓,允通I2t值通常較低。
1、熔斷時(shí)間≥0.1s時(shí)選擇性驗(yàn)證
如圖1所示,對(duì)每個(gè)預(yù)期電流值,熔斷器F4的最大熔斷時(shí)間應(yīng)小于F2的最小弧前時(shí)間。

圖1 熔斷時(shí)間≥0.1s時(shí),熔斷器F2和F4之間選擇性驗(yàn)證
圖中:1——最大熔斷時(shí)間;2——最小弧前時(shí)間。當(dāng)熔斷體特性僅以一根曲線表示時(shí),制造廠應(yīng)規(guī)定誤差。
2) 熔斷時(shí)間<0.1s時(shí)選擇性驗(yàn)證
對(duì)此熔斷時(shí)間,應(yīng)考慮I2t值。熔斷器F4的最大熔斷I2t值必須小于熔斷器F2的最小弧前I2t值。
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