半導體橋電熱性質(zhì)初探

期刊名字：工程爆破
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論文作者：胡劍書，焦清介
作者單位：北京理工大學爆炸科學與技術(shù)國家重點實驗室
更新時間：2023-03-24
下載次數(shù)：次

論文簡介

介紹了半導體橋(SCB)發(fā)火器件的工作機理.通過對恒流作用下V型半導體橋的電熱特性建立數(shù)學模型,得出了SCB的夾角越小、發(fā)火電流越大則發(fā)火時間越快的關(guān)系.但是,由于夾角受到半導體橋臨界能量的影響,存在一個最小值,也是V型角的最佳角度.本文同時給出了一個計算升溫時間的公式.

論文截圖

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