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半導體用高純超細SiC粉體的表面改性 半導體用高純超細SiC粉體的表面改性

半導體用高純超細SiC粉體的表面改性

  • 期刊名字:中國粉體技術
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  • 論文作者:李星,鐵生年
  • 作者單位:青海大學非金屬材料研究所
  • 更新時間:2023-03-25
  • 下載次數(shù):
論文簡介

通過偶聯(lián)劑預處理、接枝聚合丙烯酸鈉兩步法對SiC粉體進行表面改性,制備聚丙烯酸鈉接枝改性SiC粉體,并對改性粉體進行表征,測試SiC粉體的zeta電位,討論改性對SiC粉體料漿分散穩(wěn)定性和流動性的影響.結果表明:SiC微粉經(jīng)表面改性后并未改變原始SiC微粉的物相結構,只是改變其在水中的膠體性質(zhì);微粉團聚現(xiàn)象減少,分散性得到改善;改性SiC微粉與原始SiC微粉相比,表面特性發(fā)生很大變化,zeta電位值顯著提高,懸浮液的分散穩(wěn)定性得到明顯改善,且黏度降低.

論文截圖
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