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半導(dǎo)體硅熔體的有效(磁)黏度 半導(dǎo)體硅熔體的有效(磁)黏度

半導(dǎo)體硅熔體的有效(磁)黏度

  • 期刊名字:物理學(xué)報(bào)
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  • 論文作者:張雯,劉彩池,王海云,徐岳生,石義情
  • 作者單位:河北工業(yè)大學(xué)信息功能材料研究所
  • 更新時間:2023-03-25
  • 下載次數(shù):
論文簡介

用釹鐵硼(NdFeB)永磁材料構(gòu)建"魔環(huán)"結(jié)構(gòu)的永磁體,向直拉硅生長的熔體所在空間引人磁場,采用回轉(zhuǎn)振蕩法測量不同磁場強(qiáng)度下硅熔體的有效黏度(磁黏度).在溫度一定時,測得的磁黏度隨著磁場強(qiáng)度的增加而增加,二者呈拋物線關(guān)系.熔硅溫度升高,磁場影響加劇.1490-1610℃溫度區(qū)間內(nèi),磁黏度有異常變化.當(dāng)引入磁場強(qiáng)度為0.068T時,熔硅有效黏度比原黏度增加2-3個數(shù)量級,證明引入磁場是硅單晶大直徑生長時,抑制熔硅熱對流的有效手段.

論文截圖
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