半導(dǎo)體生產(chǎn)用劇毒氣體解毒技術(shù)的研究

期刊名字：低溫與特氣
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論文作者：孫福楠，吳江紅，柳蔚，李英輝，于大秋，馮慶祥
作者單位：光明化工研究設(shè)計(jì)院
更新時(shí)間：2023-03-25
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論文簡(jiǎn)介

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,需要使用大量有毒性氣體,如SiH4、B2H6 、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等.這些氣體易燃、易爆、有毒,對(duì)人身及環(huán)境有危害性,為了確保IC等新型半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)順利發(fā)展,開展氣體解毒研究意義重大.傳統(tǒng)上采用酸、堿、氧化劑的濕法工藝,存在許多弊病,近年來(lái),劇毒氣體干法解毒技術(shù)發(fā)展迅猛.本文介紹了該技術(shù)的原理,希望國(guó)產(chǎn)解毒裝置能適應(yīng)IC發(fā)展需求.

論文截圖

上一條：合成半導(dǎo)體膠體納米晶的新方法

下一條：半導(dǎo)體用高純超細(xì)SiC粉體的表面改性

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