半導(dǎo)體量子器件物理講座
- 期刊名字:物理
- 文件大?。?/li>
- 論文作者:王良臣
- 作者單位:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
- 更新時間:2023-03-24
- 下載次數(shù):次
論文簡介
文章從異質(zhì)界面的三角勢阱中二維電子氣的形成人手,計算了二維電子氣的量子化能級及其面電子密度.對HEMT器件材料結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化、器件的電荷控制模型及I-V特性作了分析.
論文截圖
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