InSb/GaAs半導體界面結構研究

期刊名字：電子顯微學報
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論文作者：王紹青，孟祥敏，蘭建章，葉恒強
作者單位：中國科學院金屬研究所固體原子像開放研究實驗室
更新時間：2023-03-24
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論文簡介

本文通過對InSb/GaAs半導體界面實驗高分辨原子像的計算機定量化分析得到了界面位錯區(qū)附近的晶格點陣畸變位移分布.基于該實驗結果文中提出了InSb/GaAs半導體界面的結構互平衡界面結構模型.該界面模型合理地解釋了界面位錯的起因及InSb薄膜在GaAs基體上外延生長過程中的物理現(xiàn)象.計算機模擬的界面電子衍射譜和高分辨原子像與實驗觀察結果的一致性符合驗證了所建立的界面模型的正確性.

論文截圖

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