本文件描述了元器件位移損傷的試驗(yàn)方法。 本文件適用于光電集成電路和分立器件，如電荷耦合器件（CCD）、光電耦合器、圖像敏感器（APS）、光敏管等，用質(zhì)子、中子進(jìn)行位移損傷輻照試驗(yàn)。其他元器件的位移損傷輻照試驗(yàn)參照進(jìn)行。 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 42969-2023 標(biāo)準(zhǔn)名稱：元器件位移損傷試驗(yàn)方法 英文名稱：Displacement damage test method for components 發(fā)布日期：2023-09-07 實(shí)施日期：2024-01-01 引用標(biāo)準(zhǔn)：GB 18871 GB/T 19022-2003 GB/T 27418-2017 起草人：羅磊、于慶奎、唐民、朱恒靜、張洪偉、鄭春、陳偉、丁李利、汪朝敏、李豫東、文林、薛玉雄 起草單位：中國(guó)空間技術(shù)研究院、中國(guó)工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所、西北核技術(shù)研究院、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所、中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所、揚(yáng)州大學(xué) 歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 78)