采用Mott-Schottky理論結合氧化膜點缺陷模型(PDM)研究了工業(yè)純鋁L2陽極氧化膜的半導體性質,分別計算了沸水封閉和重鉻酸鉀封閉后陽極氧化膜的施主濃度、氧空穴擴散系數及平帶電位.結果表明,鋁陽極氧化膜封閉前后都具有n型半導體性質,且施主濃度隨著電壓的升高呈指數遞減.使用不同方法封閉的陽極氧化膜的氧空穴擴散系數為(1.12-5.53)×10-14 cm-2·s-1,封閉后陽極氧化膜平帶電位降低.