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寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展 寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展

寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展

  • 期刊名字:中國電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào)
  • 文件大?。?/li>
  • 論文作者:畢克允,李松法
  • 作者單位:中國公司電子科學(xué)研究院,中電科技集團(tuán)公司第13研究所
  • 更新時(shí)間:2023-03-24
  • 下載次數(shù):
論文簡介

概要介紹了寬禁帶半導(dǎo)體器件的近期發(fā)展情況.AlGaN/GaN微波功率HEMT、藍(lán)光激光器和紫外探測器在軍用電子系統(tǒng)中具有特殊重要的應(yīng)用價(jià)值,同時(shí)在民用領(lǐng)域也有良好的應(yīng)用前景和廣闊的市場.簡要描述了它們的技術(shù)特點(diǎn),以及在相控陣?yán)走_(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)、精確制導(dǎo)、水下光通信和探測系統(tǒng)中的應(yīng)用前景.

論文截圖
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