采用LMTO-ASA能帶計算方法,研究(Si2)3(2Al)6(001),(Ge2)3(2Al)6(001),(Ge2)3(2Au)6(001)和(Ge2)3(2Ag)6(001)超晶格中半導(dǎo)體界面電荷Qss的生成機理,結(jié)果發(fā)現(xiàn),金屬-半導(dǎo)體相互接觸時,接觸界面處半導(dǎo)體原子與金屬原子之間發(fā)生價電子重新分布和轉(zhuǎn)移,導(dǎo)致半導(dǎo)體表面原子層偏離電中性而呈現(xiàn)出半導(dǎo)體界面凈電荷Qss.該界面電荷Qss的生成與Tung新近提出的金屬-半導(dǎo)體界面化學(xué)鍵的"化學(xué)鍵極化"模型物理實質(zhì)大致相同,兩者都能說明界面處金屬原子和半導(dǎo)體原子整齊排列為單晶(不涉及半導(dǎo)體表面態(tài))的Schottky勢壘中仍然會生成界面電荷.