半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光性質(zhì)研究

期刊名字：半導(dǎo)體技術(shù)
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論文作者：官眾，張道禮
作者單位：華中科技大學(xué)
更新時(shí)間：2023-03-25
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論文簡(jiǎn)介

用PL譜測(cè)試研究了半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光致發(fā)光性能,分析了不同In組分覆蓋層對(duì)分子束外延生長(zhǎng)的量子點(diǎn)發(fā)光特性的影響,及導(dǎo)致發(fā)光峰紅移的原因.結(jié)果顯示,In元素有效抑制界面組分的混雜,使得量子點(diǎn)的均勻性得到改善,PL譜半高寬變窄.用InAs覆蓋的In0.5Ga0.5As/GaAs自組織量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了1.3um發(fā)光.

論文截圖

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