InP/GaAs低溫鍵合的新方法

期刊名字：功能材料
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論文作者：謝生，陳松巖，何國榮，周海文，吳孫桃
作者單位：廈門大學(xué)
更新時(shí)間：2023-04-01
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論文簡介

通過對InP/GaAs異質(zhì)鍵合實(shí)驗(yàn)方法的研究,提出了包括表面活化處理、真空預(yù)鍵合和退火熱處理的三步法,在350℃低溫下實(shí)現(xiàn)了InP/GaAs異質(zhì)材料的鍵合.界面電流-電壓(I-V)特性的研究表明,350℃樣品的界面過渡層極薄,電子主要以隧穿方式通過界面,而450℃的擴(kuò)散使得過渡層增厚,界面電流-電壓特性可視為雙肖特基二極管的反向串聯(lián).同時(shí),對鍵合樣品也進(jìn)行了拉力測試,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明450℃樣品的鍵合強(qiáng)度優(yōu)于350℃樣品.最后,對InP/GaAs異質(zhì)材料的鍵合機(jī)理進(jìn)行了探討.

論文截圖

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