閉式等離子體隱身技術及等離子體參數(shù)的優(yōu)化

期刊名字：微波學報
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論文作者：李毅，張偉軍，莫錦軍，袁乃昌
作者單位：國防科技大學電子科學與工程學院微波中心,海軍工程大學電力電子技術研究所
更新時間：2023-03-20
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論文簡介

提出了一種等離子體隱身技術,即閉式等離子體隱身技術,從而解決了開放式的等離子體隱身技術的諸多問題.通過計算入射到覆蓋閉式等離子體的金屬平板上的電磁波的反射率,得出了在低溫下,提高等離子體密度和溫度,有利于更好的吸收電磁波結論.最后計算了未覆蓋與覆蓋閉式等離子體導體圓錐的雷達散射截面,結果表明:采用閉式等離子隱身技術有很好的隱身效果.

論文截圖

上一條：表面波等離子體天線的柱狀等離子體源參數(shù)研究

下一條：多源感應耦合等離子體的產生及等離子體診斷

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