非晶半導(dǎo)體的研究與應(yīng)用

期刊名字：功能材料
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論文作者：清水立生，嚴(yán)輝
作者單位：Kanazawa大學(xué)工學(xué)部電氣與計算機(jī)工學(xué)研究科,,北京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,
更新時間：2023-03-23
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論文簡介

1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中觀察到電的開關(guān)與存貯效應(yīng)以來,特別是1975年氫化非晶Si的p型與n型摻雜控制的實現(xiàn),非晶半導(dǎo)體作為一個重要的電子材料,在過去的30多年中吸引了大量的基礎(chǔ)研究并得到了廣泛的應(yīng)用.本文綜述了至今為止非晶半導(dǎo)體重要的研究與應(yīng)用進(jìn)展,并探討非晶半導(dǎo)體今后主要的發(fā)展趨勢.

論文截圖

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