寬禁帶半導(dǎo)體金剛石
- 期刊名字:電子科技
- 文件大?。?/li>
- 論文作者:李發(fā)寧,張鶴鳴,戴顯英,朱國(guó)良,呂懿
- 作者單位:西安電子科技大學(xué)微電子所
- 更新時(shí)間:2023-03-24
- 下載次數(shù):次
論文簡(jiǎn)介
較詳細(xì)地?cái)⑹隽水?dāng)前國(guó)內(nèi)外正處在研究熱潮中的金剛石半導(dǎo)體的優(yōu)越性質(zhì)、發(fā)展?fàn)顩r及其應(yīng)用和潛在的應(yīng)用前景.同時(shí)分析和比較了金剛石薄膜的各種制備方法,可以看出微波等離子體化學(xué)汽相沉積法是較好的制備金剛石薄膜的生長(zhǎng)技術(shù),并且分析了該技術(shù)的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì).該法在保持適當(dāng)氬氣氛和施加襯底負(fù)偏壓下還可進(jìn)一步提高金剛石膜的生長(zhǎng)速率和質(zhì)量.對(duì)于金剛石異質(zhì)(在硅襯底上)成核的基本機(jī)理也進(jìn)行了分析.最后,闡述了研究金剛石半導(dǎo)體薄膜目前需要解決的關(guān)鍵問(wèn)題及其發(fā)展方向.
論文截圖
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