射頻鞘層中等離子體濃度對(duì)離子動(dòng)量的影響

期刊名字：電子元件與材料
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論文作者：李志剛，丁玉成
作者單位：西安交通大學(xué)機(jī)械制造系統(tǒng)工程國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2023-03-20
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論文簡介

利用射頻鞘層模型,推出了離子到達(dá)被加工材料表面時(shí)的動(dòng)量的表達(dá)式.利用表達(dá)式分析了離子轟擊材料表面的動(dòng)量與等離子體濃度的關(guān)系.理論分析與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)有較好的吻合.等離子體濃度的增大對(duì)鞘內(nèi)離子動(dòng)量起抑制作用:隨等離子體濃度(1015～1016 m-3)增加,離子動(dòng)量(10-22～10-21kg·m·s-1)減小.等離子體濃度較小(約3×1015m-3),其作用越來越平緩.

論文截圖

上一條：ECR微波等離子體離子輸運(yùn)的數(shù)值模擬

下一條：離子回旋頻段內(nèi)熱等離子體介電張量研究

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