激光遠場光強分布一般與輸出功率大小有關,在相同功率水平下,不同激光二極管的遠場分布往往不同,因此需要一種模型能全面地描述不同半導體激光器在各種情況下的遠場分布.根據(jù)半導體激光器發(fā)出的激光具有部分相干性和雙光束的部分相干性原理,利用瑞利-索莫菲衍射積分公式,提出并推導得出了描述半導體激光遠場分布的新理論模型.在激光二極管遠場光強慢軸方向理論模型可表示為I(O,θ,z)=I0(z)cos4θ·[1+2γcos(4πα/λ sinθ+ψ]exp[-2π2/qλ2sin2θ],已觀察到的遠場光強分布與曲線符合得更準確.和已有的一些理論模型相比,新模型不但有可靠的推理論據(jù),而且能夠通過q、γ、ψ等參數(shù)的調(diào)整來描述不同激光二極管光強的遠場分布.