摻雜透明導(dǎo)電半導(dǎo)體薄膜的光電性能研究

期刊名字：應(yīng)用光學(xué)
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論文作者：葛春橋，郭愛(ài)云，胡小峰
作者單位：武漢理工大學(xué)
更新時(shí)間：2023-03-25
下載次數(shù)：次

論文簡(jiǎn)介

摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電膜(AZO)是一種重要的光電子信息材料,其制備方法有真空蒸鍍法、磁控濺射法,化學(xué)氣相沉積和脈沖激光沉積法等.該文采用溶膠-凝膠(sol-gel)工藝在普通玻璃基片上成功地制備出Al3+摻雜型ZnO透明導(dǎo)電薄膜.將這種薄膜在空氣和真空中以不同的溫度進(jìn)行了退火處理,并對(duì)薄膜進(jìn)行了XRD分析和光電性能研究.結(jié)果表明,所制備的薄膜為釬鋅礦型結(jié)構(gòu),在c軸方向擇優(yōu)生長(zhǎng),真空退火有利于薄膜結(jié)晶狀況的改善,并使薄膜的載流子濃度大幅度地增加而電阻率下降,并且真空退火對(duì)薄膜的透射率影響不大.

論文截圖

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