借助于霍爾效應(yīng)、拉曼散射、光致發(fā)光及電致發(fā)光測試技術(shù)，研究了氫等離子體處理以及隨后的高溫退火過程對ZnO薄膜及ZnO納米棒光學及電學性質(zhì)的影響。實驗結(jié)果表明：氫在ZnO薄膜中不僅充當淺施主，而且還可以鈍化晶界處缺陷相關(guān)的非輻射復(fù)合中心，從而使得載流子濃度及遷移率增大，近帶邊紫外發(fā)光增強。然而，鈍化晶界的氫熱穩(wěn)定性較差，500℃時已經(jīng)完全擴散出ZnO薄膜，因此，500℃退火后載流子遷移率及近帶邊紫外發(fā)光強度迅速減弱。