研究了一些半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)的壓力光譜.測得平均直徑為26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子點(diǎn)發(fā)光峰的壓力系數(shù)分別為82、94和98 meV/GPa.表明這些發(fā)光峰具有Γ谷的特性,這些量子點(diǎn)為Ⅰ型量子點(diǎn).而平均直徑為7nm的量子點(diǎn)發(fā)光峰的壓力系數(shù)為-17 meV/GPa,具有X谷的特性.所以這種小量子點(diǎn)為Ⅱ型量子點(diǎn).測得ZnS:Mn納米粒子中Mn發(fā)光峰的壓力系數(shù)為-34.6meV/GPa,與晶體場理論的預(yù)計一致.而DA對發(fā)光峰基本不隨壓力變化,表明它應(yīng)該與ZnS基體中的表面缺陷有關(guān).測得ZnS:Cu納米粒子中Cu的發(fā)光峰的壓力系數(shù)為63.2meV/GPa,與ZnS體材料的帶隙壓力系數(shù)相同.表明Cu引入的受主能級具有淺受主的某些特點(diǎn).測得ZnS:Eu納米粒子中Eu發(fā)光峰的壓力系數(shù)為24.1meV/GPa,與晶體場理論的預(yù)計不同.可能和Eu的激發(fā)態(tài)與ZnS導(dǎo)帶間的相互作用有關(guān).