作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)具有許多硅材料所不具備的優(yōu)異性能,是高頻、高壓、高溫和大功率應(yīng)用的優(yōu)良半導(dǎo)體材料,在民用和軍事領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景.隨著GaN技術(shù)的進步,特別是大直徑硅(Si)基GaN外延技術(shù)的逐步成熟并商用化,GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)有望成為高性能低成本功率技術(shù)解決方案,從而受到國際著名半導(dǎo)體廠商和研究單位的關(guān)注.總結(jié)了GaN功率半導(dǎo)體器件的最新研究,并對GaN功率器件發(fā)展所涉及的器件擊穿機理與耐壓優(yōu)化、器件物理與模型、電流崩塌效應(yīng)、工藝技術(shù)以及材料發(fā)展等問題進行了分析與概述.