高速大功率半導(dǎo)體開關(guān)RSD的di/dt耐量極限值

期刊名字：通信電源技術(shù)
文件大小：
論文作者：劉寶生，余岳輝，梁琳，周郁明
作者單位：華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系
更新時(shí)間：2023-03-25
下載次數(shù)：次

論文簡介

文章由等離子體雙極漂移方程和臨界預(yù)充電荷條件出發(fā),得出高速大功率半導(dǎo)體開關(guān)RSD的di/dt耐量表達(dá)式.從外電路和器件結(jié)構(gòu)本身兩方面分析了RSD的di/dt耐量的影響因素,并提出了改善di/dt耐量的措施,測試結(jié)果證明了理論分析的正確性.

論文截圖

上一條：半導(dǎo)體材料的化學(xué)功能——光催化技術(shù)與環(huán)境保護(hù)

下一條：CuO-ZnO異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體陶瓷氣敏機(jī)理的研究

版權(quán)：如無特殊注明，文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò)，侵權(quán)請聯(lián)系cnmhg168#163.com刪除！文件均為網(wǎng)友上傳，僅供研究和學(xué)習(xí)使用，務(wù)必24小時(shí)內(nèi)刪除。