半導(dǎo)體器件的長(zhǎng)期貯存失效機(jī)理及加速模型

期刊名字：微電子學(xué)
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論文作者：羅俊，向培勝，趙勝雷，王毅，劉濤，陳光炳
作者單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所,西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,中國(guó)人民解放軍駐重慶氣體壓縮機(jī)廠軍代室,模擬集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2023-03-25
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論文簡(jiǎn)介

加速應(yīng)力試驗(yàn)是評(píng)價(jià)長(zhǎng)期貯存一次性使用半導(dǎo)體器件貯存可靠性的最重要途徑之一.針對(duì)半導(dǎo)體器件不同的失效機(jī)理,選擇合理、準(zhǔn)確的加速應(yīng)力模型,是定量分析半導(dǎo)體器件貯存壽命的基礎(chǔ).介紹了半導(dǎo)體器件在長(zhǎng)期貯存時(shí)的主要失效機(jī)理及其加速應(yīng)力模型,給出了這些模型的適用條件.

論文截圖

上一條：有機(jī)半導(dǎo)體9,9'-聯(lián)二蒽的合成及其結(jié)構(gòu)表征

下一條：GaN基和LiZnAs基稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展

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