綜述了稀磁半導體及其研究進展,闡述了提高居里溫度的方法.從晶體結構、材料的研究現(xiàn)狀和待解決的問題幾個方面詳述了以GaN為代表的傳統(tǒng)的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs為代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基兩類稀磁半導體的基本特點,并展望了今后的研究重點及發(fā)展方向.