提出超晶格(AlAs/GaAs)和應(yīng)變超晶格(Ge．Sii-x/Si，In．Ga1-xAs/GaAs)光伏效應(yīng)的機(jī)理，測(cè)量了不同溫度下的光伏譜，光伏曲線反映了臺(tái)階二維狀態(tài)密度分布并觀察到躍遷峰．計(jì)算了導(dǎo)帶和價(jià)帶子帶的位置和帶寬，根據(jù)宇稱守恒確定光躍遷選擇定則，對(duì)躍遷峰進(jìn)行指認(rèn)．研究了光伏隨溫度變化、激子譜峰半高寬隨溫度和阱寬的變化，討論譜峰展寬機(jī)制中的聲子關(guān)聯(lián)，混晶組分起伏及界面不平整對(duì)線寬的影響．測(cè)量了元素和化合物半導(dǎo)體單晶材料的室溫、低溫下的表面光電壓譜，推導(dǎo)了有關(guān)計(jì)算公式，計(jì)算得出電學(xué)參數(shù)(L、n0、μ、S、W)、深能級(jí)和表面能級(jí)位置、帶隙和化合物組分；分析了電學(xué)參數(shù)的溫度關(guān)系；由雙能級(jí)復(fù)合理論，研究了少子擴(kuò)散長(zhǎng)度與深能級(jí)關(guān)系，計(jì)算了深能級(jí)濃度和參數(shù)．在不同條件下研制了二氧化錫/多孔硅/硅(SnO2/Ps/Si)和二氧化錫/硅(SnO2/Si)，測(cè)量了它們的光伏譜，分析表明它們存在著異質(zhì)結(jié)．當(dāng)樣品吸附還原性氣體(H2、CO、液化石油氣)時(shí)，光電壓有明顯變化，因此可做為一種新的敏感元件．分析了它們的吸附機(jī)理，計(jì)算了有關(guān)參數(shù)．