La摻雜n型Mg2Si基半導(dǎo)體的熱電性能研究

期刊名字：功能材料
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論文作者：張倩，朱鐵軍，殷浩，趙新兵
作者單位：浙江大學(xué)
更新時(shí)間：2023-03-25
下載次數(shù)：次

論文簡(jiǎn)介

采用感應(yīng)熔煉然后熱壓的方法制備了La摻雜Mg2Si基熱電材料Mg2-xLaxSi(x=0、0.002、0.005、0.010、0.015).La在Mg2Si中占Mg位,當(dāng)x≥0.005時(shí),出現(xiàn)第二相LaMg.性能測(cè)試表明,Mg2-xLaxSi的導(dǎo)電類型為n型,Seebeck系數(shù)的絕對(duì)值隨La含量的增多而減小,電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率均隨La含量的增多而增大,在測(cè)試溫度范圍內(nèi),Mg1.995La0.005Si具有最高的ZT值,在774K溫度下達(dá)到0.42.

論文截圖

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