GaN半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)與光學(xué)性質(zhì)分析

期刊名字：太陽能學(xué)報(bào)
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論文作者：董少光，范廣涵
作者單位：華南師范大學(xué)光電子材料與技術(shù)研究所,佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院光電子與物理學(xué)系
更新時(shí)間：2023-03-25
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論文簡介

用局部旋轉(zhuǎn)密度近似的方法研究GaN材料的電學(xué)性質(zhì)與光學(xué)性質(zhì),用Cr躍遷金屬替代GaN半導(dǎo)體中的N原子,其原子濃度為1.56%.這種材料用孤立和部分填充的中間帶表征,是高效太陽電池的候選材料.對中間帶的軌道成分進(jìn)行分析表明,中間帶主要由躍遷金屬的t-群軌道構(gòu)成.吸收系數(shù)的理論計(jì)算結(jié)果表明,半導(dǎo)體材料的次帶吸收會(huì)導(dǎo)致太陽能轉(zhuǎn)換效率的增加.

論文截圖

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