Co摻雜對Zn1-xCoxO稀磁半導(dǎo)體光學(xué)性質(zhì)的影響

期刊名字：福建師范大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版）
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論文作者：鄭勇平，張志城，盧宇，黃志南，賴發(fā)春，黃志高
作者單位：福建師范大學(xué)物理與光電信息科技學(xué)院
更新時間：2023-03-25
下載次數(shù)：次

論文簡介

溶膠-凝膠法制備了Co摻雜的ZnO基稀磁半導(dǎo)體,研究其粉體和薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性.X射線衍射結(jié)果表明Co2+隨機替代Zn2+位置進入ZnO晶格,并引起晶格常數(shù)的變化.紫外-可見透射光譜表明樣品的禁帶寬度隨著Co摻雜濃度的增大呈現(xiàn)非單調(diào)變化規(guī)律,低濃度摻雜樣品的光學(xué)帶隙隨摻雜濃度增大而減小(紅移),這是由于Co2+替代Zn2+,局域d電子與能帶電子之間的sp-d交換耦合引起的.

論文截圖

上一條：稀磁半導(dǎo)體材料居里溫度的極值點

下一條：Ⅲ/Ⅴ族化合物半導(dǎo)體器件的空間應(yīng)用可靠性

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