自由電子激光輻照半導(dǎo)體多量子阱的研究

期刊名字：中國激光
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論文作者：鄒睿，林理彬，張猛，張國慶，李永貴
作者單位：四川大學(xué)物理系,中國科學(xué)院高能物理所
更新時間：2023-03-25
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論文簡介

利用低溫光熒光譜研究了自由電子激光輻照對GaAs/AlGaAs多量子阱光學(xué)性質(zhì)的影響.用波長為8.92 μm,光功率密度相應(yīng)于電場強(qiáng)度為20 kV/cm的自由電子激光輻照多量子阱60 min,發(fā)現(xiàn)量子阱特征峰797 nm經(jīng)過輻照后峰值發(fā)生紅移至812 nm,波形展寬,峰高降低.對此結(jié)果進(jìn)行了討論,并與電子輻照的情況做了比較.

論文截圖

上一條：有序納米半導(dǎo)體量子點的自組織生長

下一條：關(guān)于半導(dǎo)體器件熱特性表征和控制技術(shù)的研究

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