建立了可研究強超短光脈沖放大特性且包含自由載流子吸收、受激輻射、雙光子吸收、光譜燒孔和超快非線性折射效應的半導體光放大器理論模型,用以建立脈沖四波混頻模型,并進一步仿真了基于半導體光放大器的光采樣過程,重點討論了自由載流子吸收、雙光子吸收效應對采樣特性的影響.仿真結果與實驗結果相符.