首頁(yè) > 行業(yè)資訊 > 南京林業(yè)大學(xué)陳健強(qiáng)教授課題組Small：離子液體誘導(dǎo)纖維素調(diào)控MoS2納米結(jié)構(gòu)開發(fā)高性能鈉電負(fù)極

南京林業(yè)大學(xué)陳健強(qiáng)教授課題組Small：離子液體誘導(dǎo)纖維素調(diào)控MoS2納米結(jié)構(gòu)開發(fā)高性能鈉電負(fù)極

時(shí)間：2023-02-09 來(lái)源：瀏覽：

南京林業(yè)大學(xué)陳健強(qiáng)教授課題組Small：離子液體誘導(dǎo)纖維素調(diào)控MoS2納米結(jié)構(gòu)開發(fā)高性能鈉電負(fù)極

Energist 能源學(xué)人

能源學(xué)人

微信號(hào) energist

功能介紹能源學(xué)人，打造最具影響力的能源科技服務(wù)平臺(tái)！

收錄于合集

二硫化鉬（MoS ₂ ）作為鈉離子電池（SIBs）負(fù)極材料時(shí)表現(xiàn)出較高的理論比容量，然而，MoS ₂ 較低的電導(dǎo)率和充放電對(duì)其結(jié)構(gòu)的破壞極大影響了SIBs的性能。南京林業(yè)大學(xué)陳健強(qiáng)教授與化工院王潔副教授等人通過密度泛函理論（DFT）設(shè)計(jì)了層間距在0.80~1.01 nm之間、適合儲(chǔ)鈉的MoS ₂ 晶體結(jié)構(gòu)。另一方面，利用 1-丁基-3甲基咪唑醋酸鹽離子液體([BMIm]Ac)誘導(dǎo)不同濃度的微晶纖維素（MCC）在熱解過程中（300~1000 ℃）形成低聚物插入MoS ₂ 層間，實(shí)現(xiàn)了可控調(diào)節(jié)MoS ₂ 的層間距。在此基礎(chǔ)上，將MoS ₂ 負(fù)載在多孔碳上，通過[BMIm]Ac/MCC熱解調(diào)控MoS ₂ 的層間距的同時(shí)在MoS ₂ 表面形成氮摻雜的碳包覆層，阻止MoS ₂ 在儲(chǔ)鈉過程中與電解液接觸，以降低MoS ₂ 的硫元素?fù)p失。此外，材料表征結(jié)果發(fā)現(xiàn)MoS ₂ 與碳包覆層形成Mo-N鍵構(gòu)成緊實(shí)的界面連接，極大提高了負(fù)極材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。MoS ₂ /多孔碳復(fù)合材料作為SIBs負(fù)極，在0.1 A g ^-1 電流密度下經(jīng)250次循環(huán)后，表現(xiàn)出517.79 mAh g ^-1 的可逆容量；在1.0 A g ^-1 經(jīng)1000次循環(huán)后，表現(xiàn)出310.74 mAh g ^-1 的可逆容量并具有86.26%的容量保持率，優(yōu)于其他同類材料的性能。此項(xiàng)研究將為MoS ₂ 負(fù)極的設(shè)計(jì)以及儲(chǔ)能應(yīng)用提供新的思路。

【圖文解讀】

圖1a為層間距擴(kuò)大的MoS ₂ XRD譜圖。所有相關(guān)樣品的制備條件與層間距信息均列于表1中以便對(duì)比。通過傳統(tǒng)水熱制備的MoS ₂ 在14.34°處出現(xiàn)尖銳的002晶面衍射峰，根據(jù)Bragg公式求得層間距為0.62 nm。在E-MoS ₂ -1的圖形中，第一個(gè)峰沒有出現(xiàn)偏移，表明單獨(dú)加入[BMIm]Ac不能導(dǎo)致MoS ₂ 的層間距擴(kuò)張。此外，在32.13°, 35.01°, 48.51°和84.02°處出現(xiàn)的衍射峰，對(duì)應(yīng)于結(jié)晶態(tài)MoO ₃ ；在64.13°和75.51°出現(xiàn)的衍射峰對(duì)應(yīng)結(jié)晶態(tài)Mo ₂ N，這些都是MoS ₂ 與[BMIm]Ac的反應(yīng)產(chǎn)物。根據(jù)表1中晶面間距結(jié)果對(duì)比，MoS ₂ 層間距隨著MCC的添加量提高而逐漸增大。MCC在熱解過程中形成低聚物插入MoS ₂ 層間，引起層間距的擴(kuò)大。002晶面衍射峰逐漸從14.34°逐漸移至8.98°，對(duì)應(yīng)層間距從0.62 nm擴(kuò)張至1.01 nm。利用HR-TEM觀察MoS ₂ 的微觀形貌，從圖1b-g中可以觀察到 MoS ₂ , E-MoS ₂ -2, E-MoS ₂ -3, E-MoS ₂ -4, E-MoS ₂ -5, 和E-MoS ₂ -6的平均層間距為0.62, 0.66, 0.75, 0.84, 0.92和1.01 nm，與XRD計(jì)算的結(jié)果一致。調(diào)解MCC與[BMIm]Ac的質(zhì)量比能夠?qū)崿F(xiàn)MoS ₂ 的層間距可控?cái)U(kuò)張。另外，值得關(guān)注的是：隨著層間距逐漸增加，MoS ₂ 晶體結(jié)構(gòu)趨于無(wú)序狀，與其002特征峰呈現(xiàn)變寬變矮的峰相匹配。

Figure 1. (a) XRD patterns of a series sample with different preparation conditions. HR-TEM images of (b) MoS ₂ , (c) E-MoS ₂ -2, (d) E-MoS ₂ -3, (e) E-MoS ₂ -4, (f) E-MoS ₂ -5, and (g) E-MoS ₂ -6.

Table 1. The MoS ₂ (002) plane position and corresponding interlayer distance with different generation conditions.

Figure 2. (a) Schematic illustration of the formation of different MoS ₂ interlayer distances. (b) Na ⁺ adsorption energy variations were calculated using the double-layer MoS ₂ model with interlayer distance.

圖2a描述了MoS ₂ 層間距擴(kuò)張的機(jī)理。MCC在[BMIm]Ac中溶解，在熱解過程中，熱穩(wěn)定性更高的[BMIm]Ac誘導(dǎo)MCC低聚物滲透進(jìn)入MoS ₂ 層間并碳化。纖維素濃度越高將導(dǎo)致更多的低聚物插入MoS ₂ 層間，實(shí)現(xiàn)MoS ₂ 層間距的可控調(diào)節(jié)。同時(shí)，掌握適合MoS ₂ 儲(chǔ)鈉的層間距范圍是十分必要的。作者進(jìn)一步通過DFT模擬計(jì)算研究適合儲(chǔ)鈉的層間距。如圖2b，MoS ₂ 原始層間距對(duì)Na ⁺ 吸附能很低，僅有-1.15 eV，并隨著層間距的增加，吸附能也隨之逐漸提高；在層間距擴(kuò)張到0.8 nm (-2.66 eV)時(shí)吸附能達(dá)到最大值，此時(shí)Na ⁺ 吸附于上下兩層MoS ₂ 中間；當(dāng)層間距擴(kuò)張到1.01 nm時(shí)，Na ⁺ 會(huì)吸附在下層的MoS ₂ 層，同時(shí)吸附能保持恒定。較強(qiáng)的吸附能有利于嵌鈉，而Na ⁺ 吸附在MoS ₂ 層上有利于轉(zhuǎn)化反應(yīng)的發(fā)生。因此，MoS ₂ 的最佳儲(chǔ)鈉層間距應(yīng)該處于0.80~1.01 nm之間。

Figure 3. FE-SEM images of (a) MoS ₂ , (b) PC, (c) PC@MoS ₂ -1, and (d) PC@MoS ₂ -4. HR-TEM images of (e) MoS ₂ , (f) PC, (g) PC@MoS ₂ -1, and (h) PC@MoS ₂ -4. (i) FE-SEM elemental mappings of C, Mo, S, N, O, and N for PC@MoS ₂ -4. (j) Schematic illustration of the formation of PC@MoS ₂ -4 and the changes of pores. (k) N ₂ adsorption-desorption isotherms curves and (I) pore size distribution curves of PC, PC@MoS ₂ -1, and PC@MoS ₂ -4.

僅僅調(diào)控MoS ₂ 的層間距仍無(wú)法實(shí)現(xiàn)鈉電的充放電穩(wěn)定性。利用多孔碳（PC）負(fù)載層間距擴(kuò)張的MoS ₂ 以提高結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，其微觀形貌展示在圖3a-h中。水熱反應(yīng)合成的MoS ₂ 納米顆粒形貌均勻，呈分離的納米片，直徑范圍為90~110 nm(圖3a)。圖3b中可以清晰看到PC的多孔結(jié)構(gòu)。如圖3c所示，經(jīng)過水熱后，PC@MoS ₂ -1的多孔結(jié)構(gòu)幾乎檢測(cè)不到，說(shuō)明PC的孔隙被MoS ₂ 填充。與[BMIm]Ac和MCC反應(yīng)后，在PC@MoS ₂ -4表面幾乎看不見MoS ₂ 和孔隙，如圖3d所示，MoS ₂ 被[BMIm]Ac和MCC的衍生碳包覆，表面積顯著減小，有利于形成穩(wěn)定的固體電解質(zhì)界面相(SEI)層。通過圖3e的HR-TEM圖像可以看到[BMIm]Ac和MCC修飾前MoS ₂ 的晶格形態(tài)。圖1f的HR-TEM圖像也顯示負(fù)載MoS ₂ 之前PC是多孔的。圖3g顯示，在PC上通過水熱反應(yīng)成功合成了平均層間距離為0.62 nm的MoS ₂ 。經(jīng)[BMIm]Ac和MCC改性后，MoS ₂ 的中間層明顯膨脹，纖維素低聚物插層(圖3h)。同時(shí)，[BMIm]Ac誘導(dǎo)MCC形成包覆層，防止MoS ₂ 與電解質(zhì)接觸。

為了進(jìn)一步說(shuō)明MoS ₂ 負(fù)載碳復(fù)合材料，以圖3j展示PC@MoS ₂ -4的合成過程。首先，合成的MoS ₂ 在PC表面均勻生長(zhǎng)，填充孔隙形成PC@MoS ₂ -1;然后將PC@MoS ₂ -1與[BMIm]Ac和MCC混合焙燒。在此過程中，纖維素被分解成低聚物并插入到MoS ₂ 夾層中。同時(shí)，[BMIm]Ac誘導(dǎo)MCC在層間膨脹的MoS ₂ 表面形成碳層。然后生產(chǎn)PC@MoS ₂ -4，其表面覆蓋著來(lái)自[BMIm]Ac和MCC的碳。N ₂ 吸脫附等溫曲線表征了比表面積和孔隙狀態(tài)的變化。在圖3k中，PC@MoS ₂ -4、PC@MoS ₂ -1和PC按照IUPAC分類顯示為H3型環(huán)，孔隙結(jié)構(gòu)不規(guī)則，裂隙狹窄。值得注意的是，經(jīng)過水熱反應(yīng)后，PC的比表面積顯著減小，表明PC孔隙中MoS ₂ 的生長(zhǎng)。經(jīng)過[BMIm]Ac和MCC對(duì)PC@MoS ₂ -1的改性，由于表面被碳包覆，表面積減小。圖3I中采用Barrett-Joyner-Halenda (BJH)方法的孔隙度分布也支持了這一點(diǎn)。通過對(duì)比PC@MoS ₂ -1和PC, 4-30 nm和小于2 nm的孔隙數(shù)量大大減少，而PC@MoS ₂ -4則進(jìn)一步減少了各種尺寸的孔隙，這些都與上述討論相對(duì)應(yīng)。

Figure 4. (a) XPS spectra of PC@MoS ₂ -4, high-resolution XPS spectra of Mo 3d (b), S 2p (c), C 1s (d), O 1s (e), and N 1s (f).

采用XPS對(duì)其電極材料表面化學(xué)狀態(tài)進(jìn)行了研究。如圖4a所示，在PC@MoS ₂ -4中可以確認(rèn)C、N、O、Mo和S元素共存。圖4b中，S 2s、Mo 3d _5/2 、Mo 3d _3/2 和Mo ⁶⁺ 的四個(gè)特征峰分別位于227.1 eV、229.7 eV、232.8 eV和235.7 eV。Mo ⁶⁺ 的存在說(shuō)明MoS ₂ 存在局部氧化，這可能是[BMIm]Ac的含氧官能團(tuán)與MoS ₂ 反應(yīng)生成異質(zhì)結(jié)構(gòu)所致。在圖4c中，位于162.5 eV和163.7 eV的兩個(gè)峰與S 2p _1/2 和S 2p _3/2 相對(duì)應(yīng)。在圖4d中，C 1s可以擬合出C-C (284.7 eV)、C-O-Mo (285.8 eV)、C-N/C-O (286.2 eV)和O-C=O (289.3 eV)四個(gè)峰。O 1s譜對(duì)應(yīng)在530.9 eV (C-O)、532.0 eV (C-O-Mo)和533.2 eV (C=O)結(jié)合能處出現(xiàn)了3個(gè)峰(圖4e)。在圖4f中，在394.9 eV、395.7 eV、397.7 eV、399.2 eV和401.4 eV的N 1s譜中可以擬合出5個(gè)峰，分別與Mo 3p _3/2 、Mo-N、吡啶N、吡咯N和石墨N有關(guān)。通過化學(xué)結(jié)合，生成的Mo-N異質(zhì)界面在MoS ₂ 與纖維素和[BMIm]Ac衍生的碳之間構(gòu)建了一個(gè)穩(wěn)定的界面，提高了PC@MoS ₂ -4電極的電子輸運(yùn)和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

Figure 5. (a) Cyclic voltammetry curves of the PC@MoS ₂ -4 at a scan rate of 0.1 mV s ^-1 . (b) Galvanostatic charge-discharge profiles of the PC@MoS ₂ -4 at a current density of 0.1 A g ^-1 . (c) Cycling performances at 0.1 A g ^-1 , (d) Rate capability at different current densities and (e) cycling performances at 1 A g ^-1 (the current density of initial 5 cycles set at 0.1 A g ^-1 ) of PC@MoS ₂ -4, PC@MoS ₂ -3, PC@MoS ₂ -1 _, and MoS ₂ .

為了驗(yàn)證材料的電化學(xué)性能，將電極材料組裝進(jìn)半電池測(cè)試。PC@MoS ₂ -4的循環(huán)伏安(CV)曲線(0.1 mV s ^-1 , 0.01-3.00 V)如圖5a所示，插層和轉(zhuǎn)換過程分別對(duì)應(yīng)于0.7 V和0.07 V的陰極峰。這些只能在第一循環(huán)CV曲線中看到，這表明在接下來(lái)的周期中，形成了穩(wěn)定的固體電解質(zhì)間相(SEI)層，0.7 ~ 0.8 V和1.5 ~ 1.7 V的陽(yáng)極峰分別對(duì)應(yīng)于轉(zhuǎn)換過程和插層過程中MoS ₂ 去鈉化反應(yīng)。PC@MoS ₂ -4的恒流充放電曲線也有相應(yīng)的平臺(tái)(圖4b)，初始庫(kù)侖效率(ICE)為62.36%。其初始放電/充電比容量為1024.91/639.16 mAh g ^-1 ，并且從第3個(gè)周期到第100個(gè)周期高度重疊，說(shuō)明具有高度可逆性。

在圖5c中，在0.1 A g ^-1 下測(cè)試PC@MoS ₂ -4、PC@MoS ₂ -3、PC@MoS ₂ -1和MoS ₂ 進(jìn)行短期循環(huán)測(cè)試。PC@MoS ₂ -4在0.1 A g ^-1 循環(huán)250次后，比容量保持在517.79 mAh g ^-1 ，容量保持率為90.17%，比容量較高。通過對(duì)比PC@MoS ₂ -1和PC@MoS ₂ -4，可以看出比容量的增加主要是由于MoS ₂ 層間距擴(kuò)張。另一方面，層間距擴(kuò)張MoS ₂ 表面的碳層涂層對(duì)電極的容量和循環(huán)穩(wěn)定性都起著重要作用。由于在MoS ₂ 負(fù)載碳復(fù)合材料中加入[BMIm]Ac的MCC量較少，在MoS ₂ 負(fù)載碳復(fù)合材料上形成了一層較薄碳層。因此，較薄碳層不能充分防止硫的流失，導(dǎo)致PC@MoS ₂ -3比PC@MoS ₂ -4容量下降。

Figure 6. (a) EIS curves, (b) correlation between Z’ and ω ^-1/2 of PC@MoS ₂ -4, PC@MoS ₂ -3, PC@MoS ₂ -1 _, and MoS ₂ . (c) CV curves of PC@MoS ₂ -4 at 0.4-2.0 mV s ^-1 . (d) Capacitive contribution in the CV curves of the PC@MoS ₂ -4 electrode at 2.0 mV s ^-1 . (e) The trend of the capacitive contribution of PC@MoS ₂ -4 at different sweep rates. (f) The plot of log (scan rate) vs log (peak current), as calculated from CV curves. (g) GITT curves of PC@MoS ₂ -4. (h) Na ⁺ diffusion coefficient. (i) Comparison of D _Li+ values in this work and various MoS ₂ -based anode materials.

圖5d顯示了四個(gè)樣本的倍率性能。在0.1、0.25、0.5、1.0和2.0 A g ^-1 時(shí)，PC@MoS ₂ -4在所有樣品中表現(xiàn)出最佳的速率容量，其平均比容量分別為547.62、481.56、434.67、341.10和234.47 mAh g ^-1 。PC@MoS ₂ -4在電流降至0.1 A g ^-1 時(shí)仍有520.41 mAh g ^-1 ，表現(xiàn)出出色的可逆性。這是由于Mo-N鍵和碳涂層的形成，兩者都顯著增強(qiáng)了電荷輸運(yùn)和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。在2.0 A g ^-1 條件下，PC@MoS ₂ -1的容量高于MoS ₂ ，表明碳基質(zhì)提高了MoS ₂ 的Na ⁺ 存儲(chǔ)性能。為了進(jìn)一步測(cè)試循環(huán)穩(wěn)定性，循環(huán)測(cè)試的電流密度設(shè)置為1.0 A g ^-1 。在圖5e中，PC@MoS ₂ -4在1000次循環(huán)后保持了310.74 mAh g ^-1 和86.26%的容量留存。通過形成Mo-N鍵形成的強(qiáng)界面連接增強(qiáng)了結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，弱極化有助于突出的循環(huán)性能。此外，在MoS ₂ 上的碳包覆層可以抑制MoS ₂ 的體積膨脹以強(qiáng)化材料結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

為驗(yàn)證電極材料的導(dǎo)電性，在0.1 A g ^-1 下進(jìn)行100次循環(huán)后進(jìn)行電化學(xué)阻抗譜(EIS)測(cè)量。在Nyquist圖高中頻區(qū)域的半圓形表示SEI層的電荷轉(zhuǎn)移電阻( R _ct )，而在低頻區(qū)域斜線表示活性材料內(nèi)部的鈉離子擴(kuò)散 (圖6a)。PC@MoS ₂ -4的 Rct 值(135.70 Ω)在所有樣品中最低，說(shuō)明其導(dǎo)電性較高。對(duì)于MoS ₂ (534.80 Ω)，通過在PC上加載(PC@MoS ₂ -1, 443.80 Ω)和增加層間距離，電導(dǎo)率顯著提高。為了進(jìn)一步理解Na ⁺ 擴(kuò)散，圖6b展示了逆頻率平方根ω ^?1/2 與實(shí)阻抗Z ’的線性關(guān)系。 (Warburg阻抗系數(shù))值越低，擴(kuò)散系數(shù)越高。的值可由線性擬合斜率計(jì)算。結(jié)果表明，PC@MoS ₂ -4的斜率最小，Na ⁺ 擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)較好。PC@MoS ₂ -4具有層間擴(kuò)展的MoS ₂ 和通過Mo-N鍵連接的堅(jiān)固界面，有利于有效的Na ⁺ 運(yùn)輸，表現(xiàn)出最高的容量和出色的長(zhǎng)周期循環(huán)能力。此外，取0.4 ~ 2.0 V s ^-1 的CV曲線分析PC@MoS ₂ -4電極的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)(圖6c)?；陔姾纱鎯?chǔ)方法，根據(jù)掃描速率與峰值電流可以計(jì)算出b值，b = 0.5表示擴(kuò)散控制過程，而b = 1表示電容行為。b值計(jì)算結(jié)果在圖6d中展示。結(jié)果表明，各峰的b值均在0.8左右，表現(xiàn)出以電容性行為為主的混合鈉儲(chǔ)存方式。在圖6e中，在2.0 mV s ^-1 掃描速率下，計(jì)算出的電容行為(紫色標(biāo)記)的貢獻(xiàn)為80.58%。圖6f總結(jié)了在不同掃描速率下電容行為和擴(kuò)散控制的各自貢獻(xiàn)。電容行為的貢獻(xiàn)隨著掃描速率的增加而增加，這表明PC@MoS ₂ -4電極隨著掃描速率的增加，贗電容過程隨之增強(qiáng)，表現(xiàn)出快速動(dòng)力學(xué)。采用GITT測(cè)定測(cè)試PC@MoS ₂ -4的Na ⁺ 擴(kuò)散系數(shù)( _Na+ )，脈沖(0.5 h, 0.1 A g ^-1 )和休息間隔(0.5 h) (圖6g)。在圖6h所示的結(jié)果中，PC@MoS ₂ -4電極表現(xiàn)出出色的 _Na+ 為10 ^-9.6 -10 ^-8.0 cm ² s ^-1 ，這意味著高效的Na ⁺ 擴(kuò)散。圖6i總結(jié)了其他文獻(xiàn)和本工作的平均 _Na+ 值進(jìn)行比較?？梢钥闯?，PC@MoS ₂ -4中MoS ₂ 的大層間距實(shí)現(xiàn)了快速的Na ⁺ 擴(kuò)散。

如圖7所示，進(jìn)行DFT模擬計(jì)算，以說(shuō)明Na ⁺ 在層間距擴(kuò)張的MoS ₂ 中的擴(kuò)散。圖7a和圖7b顯示了Na ⁺ 在0.62 nm MoS ₂ 層間從頂部和側(cè)面的遷移過程。在圖7c中顯示，模擬計(jì)算得出高的遷移能壘。作為對(duì)比，Na ⁺ 在1.01 nm MoS ₂ 夾層中的遷移過程如圖7d和7e所示，Na ⁺ 被吸附到MoS ₂ 平面上。正如預(yù)期的那樣，1.01 nm層間MoS ₂ 表現(xiàn)出非常低的遷移能壘(圖7f)，這表明將層間距離擴(kuò)大到1.01 nm可以顯著改善Na ⁺ 動(dòng)力學(xué)。這也是PC@MoS ₂ -4電極出色的電化學(xué)性能的重要貢獻(xiàn)因素。

Figure 7. (a) Top and (b) side view of 0.62 nm interlayer distance MoS ₂ with the path of Na ⁺ diffusion and (c) its energy profiles. (d) Top and (e) side view of 1.01 nm interlayer distance MoS ₂ with the path of Na ⁺ diffusion and (f) its energy profiles.

【總結(jié)】

作者首次利用DFT模擬計(jì)算說(shuō)明，MoS ₂ 最佳儲(chǔ)鈉層間距為0.8-1.01 nm。通過調(diào)整MCC與[BMIm]Ac的質(zhì)量比，對(duì)MoS ₂ 層間距進(jìn)行可控?cái)U(kuò)張，并在此基礎(chǔ)上合成了多孔碳負(fù)載層間膨脹MoS ₂ -碳復(fù)合材料。作為SIBs負(fù)極在0.1 A g ^-1 下測(cè)試，PC@MoS ₂ -4在250次循環(huán)后表現(xiàn)為517.79 mAh g ^-1 ，在1.0 A g ^-1 循環(huán)測(cè)試中表現(xiàn)為1000次循環(huán)后的顯著穩(wěn)定性(310.74 mAh g ^-1 ，86.26%容量留存)。MoS ₂ 的層間距擴(kuò)張促進(jìn)了Na ⁺ 的擴(kuò)散和電荷輸運(yùn)。[BMIm]Ac和MCC在MoS ₂ 表面形成碳層，防止多硫化物在MoS ₂ 鈉化過程中擴(kuò)散到電解質(zhì)中。由于硫損失減少，可逆比容量增加。MoS ₂ 與碳之間形成Mo-N鍵，形成了較強(qiáng)的界面連接，從而減弱了結(jié)構(gòu)應(yīng)變和體積膨脹以帶來(lái)較好的循環(huán)穩(wěn)定性。

Wenjie Tao et al. Nanostructured MoS ₂ with Interlayer Controllably Regulated by Ionic Liquids/Cellulose for High-Capacity and Durable Sodium Storage Properties. Small 2023, DOI:10.1002/smll.202207397.

用于高能量密度鋰離子電池的“富鋰富鎳”氧化物正極設(shè)計(jì)

2023-02-08