?香港城大葉汝全《自然·通訊》:激光誘導(dǎo)石墨烯拓?fù)淙毕莸拈W光修復(fù)
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為了解決這一問題, 香港城市大學(xué) 葉汝全教授 團(tuán)隊(duì) 采用快速焦耳熱(flash Joule-heating, FJH)技術(shù)在原子水平上修復(fù)LIG中存在的缺陷,并同時(shí)保持其宏觀和微觀結(jié)構(gòu)的完整性(F-LIG) 。FJH利用高直流電脈沖實(shí)現(xiàn)快速電阻加熱,相比傳統(tǒng)熱處理方法,F(xiàn)JH具有加熱速度快和局域化的優(yōu)勢(shì)。而與用于LIG制備的激光脈沖相比,F(xiàn)JH的加熱時(shí)間較長(zhǎng),通常為幾十毫秒到幾秒,有助于LIG內(nèi)碳原子的重新排列,從而改善其有序性。相關(guān)工作以題為“Flash healing of laser-induced graphene”的論文發(fā)表在《 Nature Communications 》上。
F-LIG制備及FJH過程研究
F-LIG是通過在真空條件下,在LIG兩端施加毫秒級(jí)高直流電壓制備的。電流通過LIG產(chǎn)生瞬時(shí)熱量,并產(chǎn)生明亮的閃光。由于高效的電能-熱能轉(zhuǎn)化,可以通過調(diào)節(jié)施加電壓精確控制FJH過程。結(jié)果顯示,隨著電壓升高,閃光強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),相應(yīng)的加熱溫度可達(dá)到2000 ℃以上。與原始LIG相比,F(xiàn)-LIG的電阻顯著降低,且隨FJH電壓增加呈現(xiàn)明顯的下降趨勢(shì)。為了深入研究FJH過程,記錄了FJH過程中的瞬時(shí)電壓(U)和電流(I),并計(jì)算了瞬時(shí)功率密度(P A )和瞬時(shí)能量密度(E A )。在150V和160V的電壓下,電流曲線與電壓曲線呈相似趨勢(shì)。當(dāng)電壓增加到170V以上時(shí),電流曲線出現(xiàn)突增過程,表明LIG電阻顯著降低。電壓為190 V時(shí),瞬時(shí)功率密度達(dá)到約2100W cm -2 ,瞬時(shí)能量密度達(dá)到27.55J cm -2 ,表明在LIG圖案內(nèi)發(fā)生了迅速且顯著的能量輸入和熱量生成。
圖1. a F-LIG制備示意圖; b 不同電壓FJH過程的照片; c FJH過程所達(dá)到的溫度和能量密度; d LIG及F-LIG電阻對(duì)比; e 電壓, f 電流和 g 功率密度曲線。
缺陷結(jié)構(gòu)研究
Raman光譜表征顯示,經(jīng)FJH處理后F-LIG的D峰明顯降低,表明結(jié)構(gòu)中缺陷密度減小。由I D /I G 計(jì)算可知,原始LIG的a軸方向晶粒尺寸(L a )為22.9 nm,而F-LIG-190 V的L a 達(dá)到60 nm。這些結(jié)果表明,F(xiàn)JH可以顯著促進(jìn)LIG中缺陷的修復(fù),使結(jié)晶區(qū)域擴(kuò)大。此外,2D峰呈現(xiàn)明顯的變窄和增強(qiáng),較小的半高寬和較高的I 2D /I G 表明石墨烯質(zhì)量改善和層疊減少。還觀察到F-LIG的2D峰隨FJH電壓增大出現(xiàn)藍(lán)移,可能歸因于石墨烯層數(shù)、晶格應(yīng)變以及電子能帶結(jié)構(gòu)的改變。
圖2. a, b LIG及F-LIG的Raman光譜; c LIG及F-LIG的I D /I G 和L a ; d LIG及F-LIG的I 2D /I G 和2D峰半高寬; e LIG及F-LIG的XPS譜圖和 f C1s譜圖。
原子水平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)研究
使用高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)觀察原子尺度形貌發(fā)現(xiàn),LIG中碳原子呈現(xiàn)無序排列,包含大量的五邊形-七邊形結(jié)構(gòu),而在F-LIG樣品中觀察到高度有序的六角形碳晶格。此外,采用對(duì)分布函數(shù)(PDF)分析了LIG和F-LIG的原子間距離和相對(duì)位置。LIG的最近鄰峰的中心位置在1.458 ?,具有較寬的離散范圍。經(jīng)過FJH處理后,該峰明顯變窄,F(xiàn)-LIG-170 V和F-LIG-190 V的鍵距分別縮短至1.444 ?和1.425 ?。鍵距減小且分布更加集中表明碳環(huán)結(jié)構(gòu)由五-七元環(huán)為主向富含六元環(huán)轉(zhuǎn)變。此外,F(xiàn)-LIG中位于更大鍵距處的信號(hào)也更加明顯,表明F-LIG中存在更多的長(zhǎng)程有序結(jié)構(gòu)。
圖3. a,b LIG和 c,d F-LIG的HRTEM圖像; e,f LIG和F-LIG的PDF曲線。
F-LIG的應(yīng)用
由于F-LIG的導(dǎo)電性能得到改善且三維多孔結(jié)構(gòu)完好,研究者將其應(yīng)用于高性能壓阻應(yīng)變傳感器。結(jié)果顯示,基于LIG和F-LIG的應(yīng)變傳感器的靈敏度分別為16.4和129.3。F-LIG增強(qiáng)的導(dǎo)電性有助于更有效的電子傳輸,從而在應(yīng)變下產(chǎn)生更明顯的電阻變化,提升傳感器的靈敏度。此外,該傳感器還表現(xiàn)出優(yōu)秀的穩(wěn)定性。隨后,研究者展示了傳感器在監(jiān)測(cè)人體運(yùn)動(dòng)、語音識(shí)別和人機(jī)界面等方面的應(yīng)用潛力。
圖4. a,b LIG和F-LIG基傳感器彎曲過程的電阻變化; c F-LIG基傳感器拉伸過程的電阻變化; d 電阻變化與應(yīng)變的關(guān)系; e 循環(huán)穩(wěn)定性測(cè)試; f 不同拉伸速率下的電阻變化。
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