電子工業(yè)用試劑chemicals for electronic industry
?、佟」饪棠z 又稱光致抗蝕劑,隨著半導體電路向超高頻、高可靠、高集成方向發(fā)展。利用光刻工藝刻蝕各種精密的線條一般為 12~1μm,正在研究 0.5μm,越來越細。用作抗蝕涂層的光刻膠是光刻工藝中的關鍵材料,要求光刻膠的性能、質(zhì)量也越來越高。因此,在微電子工業(yè)中光刻膠是研究、競爭相當活躍的領域。在美國,1982~1986年間光刻膠的銷售額年平均增長約14%。
近年來,不斷研究感光性樹脂、感光劑的結構和曝光光源的改進,以提高分辨精度和耐腐蝕等性能,適應微電子工業(yè)向超大規(guī)模集成電路的發(fā)展。
② 高純試劑 又稱高純化學品,它的應用,貫穿于整個電路生產(chǎn)的工藝過程中。它的質(zhì)量對控制沾污,提高集成電路成品率,起著重要作用。主要包括兩類:第一類在制半導體器件和集成電路生產(chǎn)中,除高純單晶和超純氣體外,并要有控制地摻入適量的雜質(zhì)元素,以使之具有所需要的電性能。這種摻入的雜質(zhì)稱為摻入劑,主要是砷、磷、硼的化合物,如三氧化二砷、三氯化磷、三氯氧磷、三溴化硼、砷烷、磷烷、硼烷等。這類試劑純度很高,一般金屬元素雜質(zhì)要控制在0.1~0.001ppm,非金屬元素雜質(zhì)控制在0.1ppm以下。第二類在蝕刻過程中用于清洗、顯影、腐蝕、去膜等工序。這類試劑包括硫酸、鹽酸、硝酸、氫氟酸、過氧化氫等無機物和丙酮、甲醇等10多種有機溶劑。隨著 MOS(金屬-氧化物-半導體)電路的出現(xiàn),特別是大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,對高純試劑的純度和凈度要求也越來越高,除在純度上要求金屬元素的雜質(zhì)控制在ppb級,非金屬元素達到0.1ppm的水平外,對塵埃粒度也有一定的要求,目前最高要求為: 100ml的液體中,2μm以上的顆粒不超過100個或300個。根據(jù)集成電路的集成度不同,有不同的質(zhì)量標準。
為了適應高純和超凈的質(zhì)量要求,生產(chǎn)這些試劑的某些工序,要在100級的超凈環(huán)境下進行。所用的高純水,產(chǎn)品容器的清洗、分裝、包裝以及產(chǎn)品的貯存等工序都有一套相應的超凈技術,以防止塵埃侵入產(chǎn)品。80年代這類試劑在中國的生產(chǎn)規(guī)模為數(shù)百噸,電子工業(yè)發(fā)達的國家已達萬噸規(guī)模。
?、邸∫壕А∈请娮庸I(yè)中另一種新型材料。液晶的應用已有十多年的歷史,現(xiàn)在主要應用于電子工業(yè)。
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