本文件描述了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測試方法。 本文件適用于電阻率大于3 Ω·cm的p型硅單晶片及電阻率大于1 Ω·cm的n型硅單晶片中代位碳原子含量的測試(室溫下測試范圍：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；溫度低于80 K時測試范圍：不小于5×1014 cm-3)。 標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 1558-2023 標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅中代位碳含量的紅外吸收測試方法 英文名稱：Test method for substitutional carbon content in silicon by infrared absorption 發(fā)布日期：2023-12-28 實施日期：2024-07-01 替代標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 1558-2009 引用標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 8170 GB/T 8322 GB/T 14264 GB/T 29057 GB/T 35306 起草人：李靜 何烜坤 劉立娜 李素青 索開南 馬春喜 薛心祿 張雪囡 張海英 孫韞哲 王彥君 沈益軍 趙躍 王軍鋒 李蘭蘭 鄒劍秋 徐順波 李壽琴 張寶順 劉國霞 徐巖 李明達(dá) 陸勇 皮坤林 杜偉華 起草單位：中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、青海芯測科技有限公司、天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司、浙江金瑞泓科技股份公司、山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司、布魯克(北京)科技有限公司、中國計量科學(xué)研究院、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、開化縣檢驗檢測研究院、四川永祥新能源有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司、新疆新特新能材料檢測中心有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司、中電晶華(天津)半導(dǎo)體材料有限公司、浙江眾晶電子有限公司、義烏力邁新材料有限公司、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)