本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了軍用磷化銦多晶材料合成工藝的人員、環(huán)境、安全、材料、設(shè)備和儀器等一般要求，以及磷化銦多晶材料合成工藝的典型工藝流程、各工序技術(shù)要求、檢驗(yàn)要求等詳細(xì)要求。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于磷化銦多晶材料注入合成及水平合成工藝。 SJ 21477-2018 磷化銦多晶材料合成工藝技術(shù)要求 Technical requirements for InP poly crystal synthesis process 2018-12-29發(fā) 布 2019-03-01實(shí) 施 。 ’ ‘ 「 「 “ ” 「 “ 「 ‘ “ SJ 21477-2018 月 叨 言 本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為資料性附錄 。 本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司提出 。 本標(biāo)準(zhǔn)由工業(yè)和信息化部電子第四研究院歸口 。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所 。 本 標(biāo) 準(zhǔn) 主 要 起 草 人 ： 李 曉 嵐 、 王 陽(yáng) 、 孫 聶 姻 一 劍 辜 ： 主 、 李 麗 霞 、 邵 會(huì) 民 、 付 莉 杰 、 王 書(shū) 杰 、 史 艷 磊 、 張曉丹 、 姜?jiǎng)? SJ 21477-2018 磷化銦多晶材料合成工藝技術(shù)要求 范 圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)