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SJ 21590-2021 磷化銦晶片倒角工藝技術(shù)要求 Technical requirements for edge grinding process of InP wafer SJ 21590-2021 磷化銦晶片倒角工藝技術(shù)要求 Technical requirements for edge grinding process of InP wafer

SJ 21590-2021 磷化銦晶片倒角工藝技術(shù)要求 Technical requirements for edge grinding process of InP wafer

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別:[SJ] 電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大小:
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號:SJ 21590-2021
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時(shí)間:2023-10-21
  • 下載次數(shù):
標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了磷化銦晶片倒角工藝的人員、環(huán)境、安全健康與環(huán)保、材料、設(shè)備和儀器等一般要求, 以及工藝流程、下藝準(zhǔn)備、倒角、清洗、干燥、檢驗(yàn)、標(biāo)識、轉(zhuǎn)運(yùn)和貯存、記錄等詳細(xì)要求。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于磷化銦晶片倒角工藝。 SJ 21590-2021 磷化銦晶片倒角工藝技術(shù)要求 Technical requirements for edge grinding process of InP wafer 2021-12-27發(fā) 布 2022-03-01實(shí) 施 @ 國 家 國 防 科 技 工 業(yè) 局 發(fā) 布 SJ 21590-2021 月 Ii 本 標(biāo) 準(zhǔn) 的 附 錄A為 資 料 性 附 錄 。 本 標(biāo) 準(zhǔn) 由 中 國 電 子 科 技 集 團(tuán) 有 限 公 司 提 出 。 本 標(biāo) 準(zhǔn) 由 工 業(yè) 和 信 息 化 部 電 子 第 四 研 究 院 歸 口 。 本 標(biāo) 準(zhǔn) 起 草 單 位 : 中 國 電 子 禾 甘 鹵 集 栩 嚶 局 案 竿 里 木標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:史花‘ 、 掬堯漱甘舊L隧綠忍r劉瘳注漣麗霞 、 邵會(huì)民 、 付莉杰 、 王書杰 、 趙 紅 飛 、 李 亞 旗 。 健 訇 ? ? 引 ? SJ 21590-

標(biāo)準(zhǔn)截圖
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