本文件規(guī)定了利用高分辨X射線衍射儀測試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法。
本文件適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測試，氮化鎵外延片晶面曲率半徑的測試可參照本文件進(jìn)行。GB/T 41751-2022 氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 crystal substrate wafers 2022-10-12發(fā) 布 2023-02-01實(shí) 施 驢。 噸、 國家市場監(jiān)督管理總局‘井＋－ 鎏對國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會及”刀 GB/T 41751-2022 刖 言 　　本文件按照GB/T 1.1-2020《 標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則 》 的規(guī)定 起草 。 　　請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利 。 本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任 。 　　本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會 （ SAC/TC 203） 與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn) 化 技 術(shù) 委 員 會材 料 分 技 術(shù) 委員 會 （ SAC/TC 203/SC