本文件規(guī)定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片(以下簡稱Low-COP拋光片)的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。本文件適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200mm300mm、晶向<100>、電阻率0.1 Ω·cm~100 Ω·cm的Low-COP拋光片。