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GB/T 6617-2009硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe GB/T 6617-2009硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

GB/T 6617-2009硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大小:
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 6617-2009
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時(shí)間:2022-11-01
  • 下載次數(shù):
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T6617-1995《硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T6617-1995相比,主要有如下變化:---引用標(biāo)準(zhǔn)中刪去硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法;---方法原理中刪去單探針和三探針的原理圖并增加了擴(kuò)展電阻原理公式(1)及其三個(gè)假定條件;---增加了干擾因素;---測(cè)量?jī)x器和環(huán)境增加了自動(dòng)測(cè)量?jī)x器的范圍和精度;---對(duì)原測(cè)量程序進(jìn)行全面修改;---刪去測(cè)量結(jié)果計(jì)算。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:南京國(guó)盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:馬林寶、駱紅、劉培東、譚衛(wèi)東、呂立平等。本標(biāo)準(zhǔn)代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB6617-1986、GB/T6617-1995。

標(biāo)準(zhǔn)截圖
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