GB/T 25188-2010硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測(cè)量 X射線光電子能譜法Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

標(biāo)準(zhǔn)類別：[GB] 國家標(biāo)準(zhǔn)
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標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 25188-2010
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
更新時(shí)間：2022-11-11
下載次數(shù)：次

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國科學(xué)院化學(xué)研究所、中國計(jì)量科學(xué)研究院。本標(biāo)準(zhǔn)起草人:劉芬、王海、趙良仲、宋小平、趙志娟、邱麗美。

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