本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF1389-0704《Ⅲ-Ⅴ號(hào)混雜物中對(duì)單晶體硅的光致發(fā)光分析的測(cè)試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SEMIMF1389-0704格式進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較,在資料性附錄B中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條和SEMIMF1389-0704章條對(duì)照一覽表。并對(duì)SEMIMF13890704條款的修改處用垂直單線(xiàn)標(biāo)識(shí)在它們所涉及的條款的頁(yè)邊空白處。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF1389-0704相比,主要技術(shù)差異如下:---刪除了目的、術(shù)語(yǔ)和定義中的討論部分、偏差和關(guān)鍵詞等章節(jié)的內(nèi)容;---刪除了SEMIMF13890704中對(duì)砷鋁含量測(cè)定的內(nèi)容;---將實(shí)際測(cè)試得到的單一試驗(yàn)室的精密度結(jié)果代替原標(biāo)準(zhǔn)SEMIMF1389-0704中的精度和偏差部分,并將原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分作為資料性附錄A 。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 和附錄B為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專(zhuān)用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李靜、何秀坤、藺嫻。