GB/T 12669-2012半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件General specification for cascade speed control assembly with semiconductor converter
- 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
- 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
- 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 12669-2012
- 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
- 更新時(shí)間:2022-12-31
- 下載次數(shù):次
本標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T12669—1990《半導(dǎo)體變流串級(jí)調(diào)速裝置總技術(shù)條件》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T12669—1990相比主要技術(shù)變化如下:———在范圍一章中增加了“內(nèi)饋混極式無刷交流電機(jī)、混極式無刷雙饋交流電機(jī)”(見第1章);———增加了“斬波器”、“逆變顛覆”術(shù)語定義(見3.6及3.14);———增加“適配電動(dòng)機(jī)額定功率、額定電壓”的內(nèi)容(見4.1.1~4.1.2);———增加“斬波器單元的技術(shù)特征”的內(nèi)容(見4.3.7);———增加了“超溫保護(hù)、缺相保護(hù)、逆變顛覆保護(hù)”的內(nèi)容(見4.3.9);———將“干擾與抗干擾試驗(yàn)”改為“EMC試驗(yàn)”(見4.3.13,1990版4.3.16);———增加了“裝置應(yīng)具備的輸入輸出信號(hào)”和“裝置結(jié)構(gòu)與外形尺寸”內(nèi)容(見4.3.16~4.3.17);———增加了“超溫保護(hù)試驗(yàn)”、“缺相保護(hù)試驗(yàn)”、“逆變顛覆保護(hù)試驗(yàn)”內(nèi)容(見5.3.10.5~5.3.10.7);———增加了“EMC試驗(yàn)”內(nèi)容(見5.3.12);———將“高、低溫循環(huán)試驗(yàn)”、“高溫存放試驗(yàn)”、“振動(dòng)試驗(yàn)”、“跌落沖擊試驗(yàn)”納入“環(huán)境試驗(yàn)”項(xiàng)目下(見5.3.15)。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)電力電子學(xué)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC60)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位:廣東華拿東方能源有限公司、天津電氣傳動(dòng)設(shè)計(jì)研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:張淼、董桂敏、蘇勇華、劉娟。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:———GB/T12669—1990。
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