本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14141-1993《硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T14141-1993相比,主要有如下改動(dòng):---修改了被測(cè)薄層電阻的最小直徑(由10.0 mm 改為15.9 mm)、薄層電阻阻值的測(cè)量范圍及精度;---增加了規(guī)范性引用文件;---增加了引入與試樣幾何形狀有關(guān)的修正因子計(jì)算薄層電阻;---增加了干擾因素;---刪除了三氯乙烯試劑;---修改了薄層電阻范圍,增加了直流輸入阻抗不小于109 Ω;---刪除了三氯乙烯漂洗;---修改仲裁測(cè)量探針間距,由1mm 改為1.59mm;---增加了修正因子和溫度修正系數(shù)表格。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:寧波立立電子股份有限公司、南京國盛電子有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李慎重、許峰、劉培東、諶攀、馬林寶、何秀坤。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T14141-1993。