本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF84?1105《硅片電阻率測定四探針法》和SEMIMF397?1106《硅棒電阻率測定兩探針法》。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF84?1105和SEMIMF397?1106相比,主要變化如下:---中厚度修正系數(shù)F(犠/犛)表格范圍增加;---按中文格式分直排四探針法、直流兩探針法進(jìn)行編排。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》和GB/T1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T1551-1995和GB/T1552-1995相比,主要有如下變化:---刪除了鍺單晶測定的相關(guān)內(nèi)容;---用文字描述代替了原標(biāo)準(zhǔn)GB/T1551-1995和GB/T1552-1995中的若干記錄測試數(shù)據(jù)的表格;---修改了直排四探針法中計算公式;---補(bǔ)充了干擾因素。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李靜、何秀坤、張繼榮、段曙光。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB1552-1979、GB1551-1979、GB5251-1985、GB5253-1985、GB6615-1986;---GB/T1551-1995、GB/T1552-1995。