GB/T 24580-2009重?fù)絥型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
- 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國家標(biāo)準(zhǔn)
- 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
- 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 24580-2009
- 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
- 更新時(shí)間:2022-10-02
- 下載次數(shù):次
本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF15281104《用二次離子質(zhì)譜法測(cè)量重?cái)v雜N 型硅襯底中的硼污染的方法》。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SEMIMF15281104格式進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較,在資料性附錄B 中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條和SEMIMF15281104章條對(duì)照一覽表。并對(duì)SEMIMF15281104條款的修改處用垂直單線標(biāo)識(shí)在它們所涉及的條款的頁邊空白處。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF15281104相比,主要技術(shù)差異如下:---去掉了目的?關(guān)鍵詞;---將實(shí)際測(cè)試得到的單一試驗(yàn)室的精密度結(jié)果代替原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分,并將原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分作為資料性附錄A 。本標(biāo)準(zhǔn)附錄A 和附錄B為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心?中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:馬農(nóng)農(nóng)、何友琴、丁麗。
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