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GB/T 24576-2009高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction GB/T 24576-2009高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

GB/T 24576-2009高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

  • 標準類別:[GB] 國家標準
  • 標準大?。?/li>
  • 標準編號:GB/T 24576-2009
  • 標準狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時間:2022-09-12
  • 下載次數(shù):
標準簡介

本標準技術(shù)內(nèi)容等同采用SMEIM630306《準則:采用高分辨率X 光衍射法測量砷化鎵襯底上AlGaAs中Al百分含量的測試方法》。本標準對SMEIM630306進行了編輯性修改。本標準的附錄A 為資料性附錄。本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出。本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所。本標準主要起草人:章安輝、黃慶濤、何秀坤。

標準截圖
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