本標準修改采用SEMIMF6570705《硅片翹曲度和總厚度變化非接觸式測試方法》。本標準與SEMIMF6570705相比,主要有如下變化:---本標準沒有采用SEMI標準中總厚度變化測試部分內(nèi)容;---本標準測試硅片厚度范圍比SEMI標準中要窄;---本標準編制格式按GB/T1.1規(guī)定。本標準代替GB/T6620-1995《硅片翹曲度非接觸式測試方法》。本標準與GB/T6620-1995相比,主要有如下變動:---修改了測試硅片厚度范圍;---增加了引用文件、術(shù)語、意義和用途、干擾因素和測量環(huán)境條件等章節(jié);---修改了儀器校準部分內(nèi)容;---增加了仲裁測量;---刪除了總厚度變化的計算;---增加了對仲裁翹曲度平均值和標準偏差的計算。本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出。本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位:洛陽單晶硅有限責(zé)任公司,萬向硅峰電子股份有限公司。本標準主要起草人:張靜雯、蔣建國、田素霞、劉玉芹、樓春蘭。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:---GB6620-1986、GB/T6620-1995。