本標準等同采用SEMIMF1630?0704《低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質含量的測試方法》。本標準與SEMIMF1630?0704相比,主要有如下變化:---用實際測量到的紅外譜圖代替SEMIMF1630?0704標準中的圖2、圖3。---用實驗得到的單一實驗室測試精密度代替SEMIMF1630?0704中給出的單一實驗室測試精密度。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。本標準起草單位:四川新光硅業(yè)科技有限責任公司。本標準主要起草人:梁洪、過惠芬、吳道榮。