GB/T17626《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》分為以下幾個(gè)部分:GB/T17626.1—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論GB/T17626.2—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.3—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.4—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.5—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.6—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度GB/T17626.7—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則GB/T17626.8—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.9—2011 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.10—1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.11—2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.12—1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 振蕩波抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.13—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.14—2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.15—2011 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 閃爍儀 功能和設(shè)計(jì)規(guī)范GB/T17626.16—2007 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 0Hz~150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.17—2005 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.27—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.28—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.29—2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.34—2012 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 主電源每相電流大于16A 的設(shè)備的電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)本部分為GB/T17626的第34部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本部分等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-34:2009《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 主電源每相電流大于16A 的設(shè)備的電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)》。本部分由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC246)提出并歸口。本部分主要起草單位:上海工業(yè)自動(dòng)化儀表研究院、國(guó)網(wǎng)電力科學(xué)研究院。本部分參加起草單位:上海儀器儀表自控系統(tǒng)檢驗(yàn)測(cè)試所、上海出入境檢驗(yàn)檢疫局。本部分主要起草人:王英、萬保權(quán)、劉曉東、干喆淵、李妮、洪濟(jì)曄、張順達(dá)。